IGBT(Transistor bipolaire à grille isolée, transistor bipolaire à grille isolée) est un dispositif à semi-conducteur de puissance composite qui combine la haute impédance d'entrée du MOSFET et la faible perte de conduction Caractéristiques du BJT (transistor bipolaire) et convient aux applications de commutation à haute tension et courant élevé.
Un IGBT se compose de trois bornes :
je Porte (G) : Borne de commande, similaire au MOSFET, pilotée en tension (faible courant de commande).
je Collectionneur (C) : Borne haute tension, similaire au BJT.
je Émetteur (E) : Borne de sortie courant.
Cela donne à l'IGBT à la fois le facilité de conduite d'un MOSFET et le capacité de courant élevée d'un BJT.
Caractéristiques | Description |
Capacité haute tension | Plage de tension de tenue 600V à 6500V (beaucoup plus élevé que les MOSFET normaux). |
Capacité de courant élevée | Peut transporter 10A à 1000A+ courant (adapté aux moteurs industriels, onduleurs, etc.). |
Faible perte de conduction | La chute de tension de conduction (V CE(sat)) est faible et adaptée aux applications haute puissance. |
La vitesse de commutation est moyenne. | Plus lent que les MOSFET (affectés par la structure BJT), mais plus rapide que les thyristors (SCRS). |
Contrôlé en tension | Le courant de commande de grille est faible (semblable à un MOSFET) et le circuit de commande est simple. |
Espèces | Plage de tension de tenue | Applications typiques |
IGBT basse tension | 600V~1200V | Appareils électroménagers, convertisseurs de fréquence de petite et moyenne puissance. |
IGBT moyenne tension | 1200V~1700V | Motorisation industrielle, nouvelle génération d'énergie. |
IGBT haute tension | 1700V~6500V | Train à grande vitesse, réseau intelligent, transport de courant continu haute tension (HVDC). |
je IGBT discret: Boîtier monotube (TO-247, TO-220), adapté aux puissances moyennes et faibles.
je Module IGBT: Intégration multipuce avec circuits de commande et de protection pour les systèmes haute puissance (tels que les onduleurs de véhicules électriques).
je IPM (module d'alimentation intelligent) : Variateur IGBT+ intégré + protection pour climatisation à fréquence variable, servo variateur, etc.
Domaines d'application | Utilisations spécifiques |
Contrôle industriel | Convertisseurs de fréquence (moteurs d'entraînement à courant alternatif), systèmes d'asservissement, machines à souder. |
Nouvelle production d’énergie | Onduleurs photovoltaïques, convertisseurs d'énergie éolienne. |
Véhicules électriques | Système d'entraînement électrique (onduleur), chargeur embarqué (OBC). |
Appareils électroménagers | Climatiseurs Inverter, cuisinières à induction et commande de moteur pour machines à laver. |
Transmission de puissance | Transmission de courant continu haute tension (HVDC), réseau intelligent. |
Caractéristiques | IGBT | MOSFET de puissance | BJT (transistor bipolaire) |
Mode conduite | Contrôle de tension (similaire au MOSFET) | Contrôle de tension | Contrôle actuel |
Vitesse de commutation | Moyen (kHz à dizaines de kHz) | Rapide (niveau MHz) | Lent (en dessous de kHz) |
Capacité de résistance à la pression | Élevé (600 V à 6 500 V) | Moyen (<1500V) | Moyen (<1000V) |
Perte de conduction | Faible (V CE(sat) petit) | Faible (R DS(on) petit) | Plus haut (V CE(sat) grand) |
Scénarios applicables | Conversion et inversion de fréquence haute puissance | Alimentation à découpage haute fréquence | Amplification linéaire à faible coût |
1. Technologie hybride Sic-igbt: Combinant les caractéristiques haute fréquence du carbure de silicium (SiC) pour améliorer l'efficacité.
2. Une intégration plus élevée: Le module intelligent (IPM) intègre les fonctions de variateur et de protection.
3. Perte inférieure: Optimiser la structure de la grille rainurée.
4. IGBT de qualité automobile: Convient aux plates-formes haute tension 800 V des véhicules électriques (telles que BYD Semiconductor IGBT).
je IGBT = MOSFET (Contrôle) + BJT (Puissance), adapté pour haute tension, courant élevé changer d'application.
je Principaux avantages: tension de tenue élevée, faible perte à l'état passant, entraînement simple.
je Applications typiques: conversion de fréquence industrielle, nouvel onduleur d'énergie, entraînement électrique pour véhicules électriques.
je Tendances futures: Fusion SiC, intégration plus élevée, pertes plus faibles.
Téléphone
+86 13714130672
Adresse
Salle 1505, bâtiment Senye Chuangda, Gushu 2nd Road, rue Xixiang, district de Bao'an, Shenzhen, Chine
